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参数资料
| 型号： | 2SB1132T100/PQ |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2SB1132T100/PQ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1132T100PR | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132T100QR | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1134-Q | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1134-R | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1134S | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1132T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 32V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T113Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1132T200Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1132-X-AB3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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