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参数资料
| 型号： | 2SB1132T100/R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | 2SB1132T100/R |
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
Transistors
Rev.B
1/4
Medium Power Transistor (
32V,1A)
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
0.2V(Typ.)
(IC / IB =
500mA / 50mA)
2) Compliments 2SD1664 /
2SD1858
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
3
0.2
(15Min.)
4 0.2
2 0.2
0.45
0.5
0.45
5
(1) (2) (3)
0.05
+0.15
0.05
2.5 +0.4
0.1
3Min.
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
2SB1132
2SB1237
2SA1515S
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM :
ATV
1.0
6.8 0.2
2.5 0.2
1.05
0.45 0.1
2.54 2.54
0.5 0.1
0.9
4.4
0.2
14.5
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
0.3
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
4.0
1.0
0.2
0.5
0.1
2.5
3.0 0.2
1.5 0.1
0.4 0.1
0.5 0.1
0.4 0.1
0.4
1.5
4.5
1.6 0.1
Abbreviated symbol: BA
Denotes hFE
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1140-S | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1140-R | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1149-M | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1149 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1151-K | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1132T113Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1132T200Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1132-X-AB3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2SB1132-X-TN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2SB1132-X-TN3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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