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参数资料
| 型号： | 2SB1151-M |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | 2SB1151-M |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1151-M-AZ | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1151-L-AZ | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1151-K | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1151 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1151-K | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1151-M(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1151-T60-T | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT |
| 2SB1153 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TOP-3L -170V -15A 150W BCE |
| 2SB1154 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS.TRANS TOP-3FA-130V -10A 70W BCE |
| 2SB11540Q | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 10A TOP-3F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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