型号: | 2SB1181TL/P |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | CPT3, SC-63, 3 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 89K |
代理商: | 2SB1181TL/P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SB1244-B | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1244 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SB1181TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1181TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1182 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:PNP PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS |
2SB1182D | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:PNP Silicon General Purpose Transistor |
2SB1182G-X-TN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |