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参数资料
| 型号： | 2SB1182/Q |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | 2SB1182/Q |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1535/PQ | 6000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1834/Q | 15000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1727/N | 1000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1727/PQ | 1000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5162/P | 2000 mA, 600 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1182R | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
| 2SB1182-R | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Transistors |
| 2SB1182TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1182TLQ/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -32V, -2A, CPT |
| 2SB1182TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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