- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41467 > 2SB1182TR/P 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SB1182TR/P |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SB1182TR/P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1516F5/Q | 3000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1807F5/P | 1000 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1727F5/PQ | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1275TL/NP | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2118TR/S | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1183 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR CPT -40V -2A 15W BCE |
| 2SB1183F5 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
| 2SB1183TL | 功能描述:达林顿晶体管 DVR PNP 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1184 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Power Transistor (−60V, −3A) |
| 2SB1184_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Power Transistor (−60V, −3A) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。