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参数资料
| 型号： | 2SB1184TR/PR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SB1184TR/PR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1963T101/R | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1182TL/PR | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2153T101/U | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1189T101/QR | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1316F5 | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1185 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1186 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FP -120V -1.5A 20W BCE |
| 2SB1186A | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:POWER TRANSISTOR |
| 2SB1186AE | 功能描述:TRANS DRVR PNP 160V 1.5A TO220FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1187 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
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