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参数资料
| 型号： | 2SB1189 |
| 厂商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 中功率晶体管 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SB1189 |
(96-618-B13)
(96-750-D13)
278
Transistors
2SB1189 / 2SB1238 / 2SB899F
Transistors
2SD1767 / 2SD1859 / 2SD1200F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1238 | MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2SB1308-R-TP | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1308-Q-TP | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1731TL | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB851 | Epitaxial Planar PNP Silicon Translstors |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1189_10 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Medium power transistor(-80V, -0.7A) |
| 2SB1189P | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SC-62 |
| 2SB1189Q | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SC-62 |
| 2SB1189R | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SC-62 |
| 2SB1189T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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