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参数资料
| 型号： | 2SB1189T100/Q |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | 2SB1189T100/Q |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1189T100R | 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1189T100Q | 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1200F/R | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SD1200F/Q | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SD1205AQ | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1189T100Q/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -80V, -0.7A, M |
| 2SB1189T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1190 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB -200V -1A 25W BCE |
| 2SB1190A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
| 2SB1190AP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
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