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参数资料
| 型号： | 2SB1201T |
| 英文描述： | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 中文描述： | 5个引脚µ带看门狗和手动复位的P监控电路 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 405K |
| 代理商： | 2SB1201T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1218AQ | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1218AR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| 2SB1218AS | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1219AQ | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1219AR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-70 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1201T-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1201T-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1202-S | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1202S-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1202S-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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