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参数资料
| 型号： | 2SB1202G-R-TM3-T |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 261K |
| 代理商： | 2SB1202G-R-TM3-T |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB1202
PNP PLANAR TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2010 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R217-005.E
HIGH CURRENT SWITCHING
APPLICATION
DESCRIPTION
The UTC 2SB1202 applies to voltage regulators, relay drivers,
lamp drivers, and electrical equipment.
FEATURES
* Adoption of FBET, MBIT processes
* Large current capacity and wide ASO
* Low collector-to-emitter saturation voltage
* Fast switching speed
ORDERING INFORMATION
Order Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SB1202-x-T6C-K
2SB1202L-x-T6C-K
2SB1202G-x-T6C-K
TO-126C
E
C
B
Bulk
2SB1202-x-TM3-T
2SB1202L-x-TM3-T
2SB1202G-x-TM3-T
TO-251
B
C
E
Tube
2SB1202-x-TN3-R
2SB1202L-x-TN3-R
2SB1202G-x-TN3-R
TO-252
B
C
E
Tape Reel
2SB1202-x-TN3-T
2SB1202L-x-TN3-T
2SB1202G-x-TN3-T
TO-252
B
C
E
Tube
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1202G-U-TN3-T | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
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| 2SB1202G-S-T6C-K | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB1204QTP | 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1204TP-FA | 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1202-S | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1202S-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1202S-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1202T | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1202T-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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