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参数资料
| 型号： | 2SB1203STP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2SB1203STP |
2SB1203/2SD1803
No.2085—2/5
( ) : 2SB1203
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C
C
Electrical Characteristics at Ta = 25C
Tc=25C
Switching Time Test Circuit
r
e
t
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)
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B =∞
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C 0
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S0
2
)
0
2
(s
n
* : The 2SB1203/2SD1803 are classified by 0.5A hFE as follows :
k
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a
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4
1
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t
0
70
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2
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0
10
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2
o
t
0
4
10
0
4
o
t
0
2
VR
RB
VCC=25V
VBE= --5V
+
50
INPUT
RL
OUTPUT
100F
470F
PW=20s
IB1
D.C.≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
(For PNP, the polarity is reversed.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1203TP-FA | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1203TTP | 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1803RTP-FA | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1803STP-FA | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1803TP | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1203T-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1203T-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1203T-H-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1203T-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1203T-TL-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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