型号: | 2SB1204QTP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | TP, 3 PIN |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 100K |
代理商: | 2SB1204QTP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD1804STP | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1804QTP-FA | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1207R | 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1207S | 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1217-M | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SB1204S-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1204S-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1204T-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1204T-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1205 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |