收藏本站
参数资料
型号： 2SB1204RTP
厂商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： TP, 3 PIN
文件页数： 4/5页
文件大小： 100K
代理商： 2SB1204RTP
2SB1204/2SD1804
No.2086—4/5
--0.1
--1.0
3
25
7
3
25
7
--10
3
25
7
2SB1204
VCE= --5V
f T -- IC
100
3
2
7
5
3
2
5
10
ITR09206
0.1
1.0
3
25
7
3
25
7
10
3
25
7
2SD1804
VCE=5V
f T -- IC
100
3
2
7
5
3
2
5
10
ITR09207
CC
Collector Current, IC —A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
—
MHz
Gain-Bandwidth
Product,
f T
—
MHz
VBE(sat) -- IC
--1.0
--10
5
7
3
5
7
2
3
2
1.0
10
7
5
3
7
5
2
3
2
2SD1667
ITR09212
VBE(sat) -- IC
ITR09213
Ta= --25°C
25°C
2SB1204
IC / IB=20
2SD1804
IC / IB=20
75°C
Ta=75
°C
--25
°C
Ta=75°
C
--25°C
Ta= --25°C
25°C
75°C
VCE(sat) -- IC
--0.1
--0.01
23
5
57
2
3
5 7
7
--1.0
23
5 7 --10
--1000
5
3
2
7
5
3
2
7
--100
--10
VCE(sat) -- IC
ITR09210
ITR09211
0.01
0.1
72
3
5
57
2
3
5 7 1.0
23
5 7 10
--0.1
--0.01
23
5
57
2
3
5 7
7
--1.0
23
5 7 --10
0.01
0.1
72
3
5
57
2
3
5 7 1.0
23
5 7 10
1000
5
3
7
2
5
3
7
2
100
10
25
°C
2SB1204
IC / IB=20
2SD1804
IC / IB=20
25°
C
Cob -- VCB
37
2
1.0
10
53
7
25
7
5
100
ITR09209
2SD1804
f=1MHz
Cob -- VCB
3
2
7
5
3
2
5
100
10
3
2
7
5
3
2
5
100
10
37
2
--1.0
--10
53
7
25
7
5
--100
ITR09208
2SB1204
f=1MHz
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
—
m
V
Collector Current, IC —A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
—
m
V
Collector Current, IC —A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
—
V
Collector Current, IC —A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
—
V
Collector Current, IC —A
相关PDF资料
PDF描述
2SB1204TP-FA 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1804STP 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1204TP 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1204TTP 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1204QTP-FA 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SB1204S-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1204S-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1204T-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1204T-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1205 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*