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参数资料
| 型号： | 2SB1204TL |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | 2SB1204TL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1143-T | 4 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2200GAG1509F34A | ABSOLUTE, STRAIN GUAGE PRESSURE SENSOR, 0-150Psi, 0.25%, 0.20-10.20V, CYLINDRICAL |
| 2200GAG150JA2SB | ABSOLUTE, STRAIN GUAGE PRESSURE SENSOR, 0-150Psi, 0.15%, 0.20-10.20V, CYLINDRICAL |
| 2200GAH50IPA3SB | ABSOLUTE, STRAIN GUAGE PRESSURE SENSOR, 0-5000Psi, 0.15%, 0.20-10.20V, CYLINDRICAL |
| 2200FA2G0IPF24A | ABSOLUTE, STRAIN GUAGE PRESSURE SENSOR, -15-185Psi, 0.25%, 0.10-5.10V, CYLINDRICAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1204T-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1205 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1205S-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1205S-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1205T-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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