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参数资料
| 型号： | 2SB1204TP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2SB1204TP |
2SB1204/2SD1804
No.2086—3/5
--10
--8
--6
--4
--2
2SB1204
From top
--160mA
--140mA
--120mA
--100mA
2SD1804
From top
100mA
90mA
80mA
70mA
60mA
IC -- VCE
IB=0
10mA
20mA
30mA
40mA
50mA
ITR09199
0
0--2.0
--1.6
--0.4
--0.8
--1.2
IC -- VCE
--10mA
--80mA
--20mA
--60mA
--40mA
IB=0
ITR09198
10
8
6
4
2
0
0.8
2.0
0.4
1.2
1.6
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
hFE -- IC
Ta=75°C
--25°C
25°C
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
ITR09204
100
1000
5
7
3
2
10
5
7
3
2
100
1000
5
7
3
2
10
5
7
3
2
0.01
0.1
1.0
--1.0
--0.1
3
25
7
3
25
7
3
22
57 --10
3
25 7
3
25 7
3
22
57 10
--0.01
hFE -- IC
ITR09205
2SB1204
VCE= --2V
2SD1804
VCE=2V
2SB1204
VCE= --2V
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
--9
--6
--5
--8
--7
--4
--3
--1
--2
0
9
6
5
8
7
1
2
4
3
0
0--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR09202
2SD1804
VCE=2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IC -- VBE
ITR09203
--5
--4
--3
--2
--1
2SB1204
2SD1804
IC -- VCE
IB=0
30mA
25mA
20mA
15mA
10mA
5mA
ITR09201
0
0--10
--8
--2
--4
--6
IC -- VCE
--10mA
--15mA
--20mA
--25mA
--30mA
--5mA
IB=0
ITR09200
5
4
3
2
1
0
04
10
26
8
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1204TTP | 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1204QTP-FA | 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1204QTP | 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1804STP | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1804QTP-FA | 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1204T-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1205 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1205S-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1205S-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1205T-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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