型号: | 2SB1205RTP-FA |
厂商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | TP-FA, 3 PIN |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 95K |
代理商: | 2SB1205RTP-FA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SB1205TP-FA | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1260TLR | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SB1294/E | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
2SB1294 | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
2SB1318-M-AZ | 3000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SB1205S-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1205S-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1205T-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1205T-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1209 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |