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参数资料
型号： 2SB1208
厂商： PANASONIC CORP
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： POWER, MINI, SC-62, 3 PIN
文件页数： 1/3页
文件大小： 238K
代理商： 2SB1208
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PDF描述
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2SB1217-K 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2SB1217-M 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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参数描述
2SB1209 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1215S-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1215S-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1215S-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1215S-TL-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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