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参数资料
| 型号： | 2SB1212/Q |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
| 封装： | TO-92L, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SB1212/Q |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1595TE4/P | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS |
| 2SD2008T105/PQ | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1780/PQ | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
| 2SD1812N | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
| 2SB1332T105P | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1215S-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1215S-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1215S-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1215S-TL-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1215T-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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