参数资料
型号: 2SB1218GR
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
文件页数: 4/5页
文件大小: 299K
代理商: 2SB1218GR
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
SMini3-F2
Unit: mm
0.30
+0.05
0.02
0.13
+0.05
0.02
2.00 ±0.20
(0.89)
0.90
±0.10
(0.65)
1.30 ±0.10
1.25
±0.10
2.10
±0.10
0.425
±0.050
(0.49)
0to
0.10
(5
°)
(5°)
3
12
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参数描述
2SB1218GRL 功能描述:TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1218GSL 功能描述:TRANS PNP 45VCEO 100MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
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