参数资料
型号: 2SB1229R
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
中文描述: 晶体管|晶体管|进步党| 50V五(巴西)总裁|甲一(c)|至92
文件页数: 2/3页
文件大小: 405K
代理商: 2SB1229R
相关PDF资料
PDF描述
2SB1229S 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SB1229T TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
2SB1229U 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SB1230P TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR
2SB1230Q 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
相关代理商/技术参数
参数描述
2SB1229T 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
2SB1229T-AA 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 2A TO-92
2SB1234-TB-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 80V 50A SOT23
2SB1236ATV2P 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1236ATV2Q 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2