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参数资料
| 型号： | 2SB1230-RF |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2SB1230-RF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1535/NP | 6000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N6276-JQR | 50 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE |
| 2SC4423M-RG | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SK494RF | 100 mA, 22 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SC4081T107/QS | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SB1236TV2Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236TV2R | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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