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参数资料
| 型号： | 2SB1234 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, CP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2SB1234 |
2SB1234 / 2SD1851
No.2553-1/4
Features
AF amplifier, solenoid drivers, LED drivers.
Darlington connection.
High DC current gain.
Ultrasmall-sized package permitting sets to be made smaller and slimer.
Specifications ( ) : 2SB1234
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
(--)80
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
(--)50
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
(--)10
V
Collector Current
IC
(--)200
mA
Collector Current (Pulse)
ICP
(--)400
mA
Collector Dissipation
PC
200
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)60V, IE=0A
(--)100
nA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)8V, IC=0A
(--)100
nA
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)10mA
5000
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
(3000)4000
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)100mA, IB=(--)100A
(--)0.9
(--)1.5
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)100mA, IB=(--)100A
(--)1.5
(--)2.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0A
(--)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0A
(--)10
V
Marking 2SB1234: PL
2SD1851: XY
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
Ordering number : EN2553B
82506HA MS IM TC-00000087 / D1003TN (KT) / 92098HA (KT) / D138MO / 4167TA, TS
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SANYO Semiconductors
DATA SHEET
2SB1234 / 2SD1851 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
Driver Applications
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SB1236TV2R | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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