型号: | 2SB1276TL4/QR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 300 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 81K |
代理商: | 2SB1276TL4/QR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SA1560TL3/Q | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1561ATL3Q | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SB1278 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR FTL -80V -.7A .75W ECB |
2SB1279 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR FTL -15V -.2A .3W ECB |
2SB1282-4100 | 功能描述:达林顿晶体管 V=-100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
2SB1283 | 制造商:Shindengen 功能描述: |
2SB1284-4000 | 功能描述:达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |