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参数资料
| 型号： | 2SB1277TL2/Q |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | 2SB1277TL2/Q |
(96-131-B24)
FExternal dimensions (Unit: mm)
215
Transistors
Medium power Transistor(
*32V,*2A)
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /
2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M
FFeatures
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
*0.5V (Typ.)
(IC /IB =
*2A / *0.2A)
2) Complements the 2SD1766 /
2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F /
2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M.
FStructure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB911M | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB911M/Q | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB827 | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SD1063-S | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1063 | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1278 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR FTL -80V -.7A .75W ECB |
| 2SB1279 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR FTL -15V -.2A .3W ECB |
| 2SB1282-4100 | 功能描述:达林顿晶体管 V=-100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1283 | 制造商:Shindengen 功能描述: |
| 2SB1284-4000 | 功能描述:达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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