型号: | 2SB1286C7 |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 110K |
代理商: | 2SB1286C7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SB1292C7E | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
2SB1369D | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
2SC4845E | 5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
2SC4596C7/D | 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
2SB1292C7/E | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SB1287 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220FP -100V -2A 20W BCE |
2SB1290 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SB1295 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORSC-59 -15V -.8A .2WSURFACE MOUNT |
2SB12990P | 功能描述:TRANS PNP 60VCEO 3A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SB1299P | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |