型号: | 2SB1308R |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 109K |
代理商: | 2SB1308R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SB1561T101 | 2000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC4505Q | 100 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1308Q | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1812T101 | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2153T101 | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SB1308T100P | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1308T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1308T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1316TL | 功能描述:达林顿晶体管 D-PACK BCE PNP DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
2SB1319 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANS. M-TYPE -30V -5A 1W BCE |