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参数资料
| 型号： | 2SB1309P |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126F |
| 封装： | TO-126F, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | 2SB1309P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1316F5TLA | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1320R | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1322AQ | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1326TV2R | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1326TV2/Q | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1316TL | 功能描述:达林顿晶体管 D-PACK BCE PNP DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1319 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANS. M-TYPE -30V -5A 1W BCE |
| 2SB1320A0A | 功能描述:TRANS PNP GP AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1320AQRTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1321A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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