- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41514 > 2SB1334/E 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SB1334/E |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | 2SB1334/E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1562C7/E | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1855A/DF | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SA1635/EF | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD2306T114 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1290C7F | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1341 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220AB -480V -4A 40W BCE |
| 2SB1344 | 功能描述:TRANS DARL PNP 100V 8A TO-220FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1346 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB -60V -3A 30W BCE |
| 2SB1347 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TOP-3L -160V -12A 120W BCE |
| 2SB1348 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-160V -.1A .4W ECB |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。