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参数资料
| 型号： | 2SB1369 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SB1369 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1888C7K | 6 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1580C7 | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1933C7K | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SB1085AC7 | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SC4506T114 | 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1375 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1375(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -60V -3A 100 to 320 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 3A TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SB1375,CLARIONF(M | 功能描述:TRANS PNP 3A 60V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:9MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SB1378 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1381(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
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