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参数资料
| 型号： | 2SB1381 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | 2SB1381 |
2SB1381
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SB1381
High-Power Switching Applications
Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications
High DC current gain: hFE = 1500 (min) (VCE = 3 V, IC = 2.5 A)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 2.5 A)
Complementary to 2SD2079.
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
5
Collector current
Pulse
IC
8
A
Base current
IB
0.5
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
30
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Base
Emitter
≈ 5 k
≈ 150
Collector
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