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参数资料
| 型号： | 2SB1405 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | 2SB1405 |
2SB1405
No.3236–2/3
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8
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B
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R
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1
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B =∞
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5
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O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
0
1
–
=
C 0
=0
1
–
V
Electrical Connection
Continued from preceding page.
B
C
E
ITR09665
IC -- VBE
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--2.4
0
--200
--400
--600
--800
--1000
VCE=--2V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
ITR09666
hFE -- IC
--10
23
35
2
3
5
--100
--1000
2
7
100000
10000
3
2
5
7
3
2
5
VCE=--2V
Ta=75
°C
25
°C
ITR09664
IC -- VCE
0
--1
--2
--3
--4
--7
--5
--6
0
--200
--100
--400
--300
--500
--600
--800
--700
IB=0
--10
--100
23
5
2
3
5
35
2
--1000
7
--1.0
--10
5
7
5
3
2
ITR09668
VCE(sat) -- IC
IC / IB=1000
Ta=--25°C
25
°C
75°C
ITR09669
f=1MHz
--1.0
--10
23
5
2
3
5
7
10
7
100
5
7
5
3
2
ITR09667
Cob -- VCB
--10
A
--5
A
--25A
--20A
--15A
--30
A
--35
A
--25
°C
--10
--100
23
5
2
3
5
35
2
--1000
7
--1.0
--10
5
7
5
3
2
VBE(sat) -- IC
IC / IB=1000
Ta=--25°C
25
°C
75°C
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
Output
Capacitance,
Cob
–
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector Current, IC – mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – mA
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1406 | 1500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1407(L)D | 2.5 A, 35 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1409(L)B | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1409(S)C | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1409(S)B | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1412TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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