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参数资料
| 型号： | 2SB1407(S)C |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SB1407(S)C |
2SB1407(L)/(S)
Silicon PNP Epitaxial
ADE-208-876 (Z)
1st. Edition
Sep. 2000
Application
Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2121(L)/(S)
Outline
4
12
3
4
3
2
1
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
DPAK
S Type
L Type
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PDF描述 |
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| 2SB1434S | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1436C6/R | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SB1436C6/PR | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SB1412TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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