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参数资料
| 型号： | 2SB1412TR/PR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SB1412TR/PR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2167T101Q | 2000 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1812T101/N | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1189T101/PQ | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1727TR/N | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5001TR/R | 10000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1412TRR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1413 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1413R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB14140RA | 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 1A MT-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1416 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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