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参数资料
| 型号： | 2SB1423/R |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | 2SB1423/R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1378/QR | 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1775/PQ | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB1436/PR | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SD2343/PQ | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SD1381F/PQ | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1424T100P | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2SB1424T100P |
| 2SB1424T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1424T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A MPT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1427 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1427-T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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