型号: | 2SB1424T100/PQ |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 74K |
代理商: | 2SB1424T100/PQ |
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PDF描述 |
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2SA1870TL/DF | 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SB1424T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1424T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 3A MPT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1427 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SB1427-T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
2SB1427T100E | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |