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参数资料
| 型号： | 2SB1425T103/U |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
| 封装： | TO-92L, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SB1425T103/U |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2309T105 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA934T103/PR | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
| 2SA1818Q | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS |
| 2SA1809T105/PQ | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1329T105/PR | 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1427 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1427-T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1427T100E | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1427T100U | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1430-AZ-L | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk |
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