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参数资料
| 型号： | 2SB1443TV6/PQ |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SB1443TV6/PQ |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5083TV4/NP | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1076MA | 2000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1236ATV4N | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1236ATV6N | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4295MP | 100 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB14460RA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 5A MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB14460SA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 5A MT-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1448-7100 | 功能描述:达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1448-7112 | 功能描述:达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1449R-DL-E | 制造商:SANYO 功能描述:PNP 50V 5A 70 to 280 SMP-FD Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 5A SOT404 |
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