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参数资料
| 型号： | 2SB1449 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SMP-FD, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2SB1449 |
2SB1449 / 2SD2198
No.3149-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)3A, IB=(--)0.3A
(--)0.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
0.1
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(0.7)1.4
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
0.2
s
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7001-002
10.2
8.8
1.5MAX
2.7
9.9
3.0
0.2
1.3
4.5
0.8
1.35
0.4
1.4
1.2
2.55
0 to 0.3
12
3
2.55
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : SMP-FD
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR09679
ITR09680
0
--0.4
--1.6
--0.8
--2.0
--1.2
--2.4
0
--4
--2
--6
--8
--10
IB=0mA
--50mA
--100mA
--150mA
--200mA
--250mA
--300mA
--350mA
--400mA
--500mA
2SB1449
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
2
4
6
10
8
IB=0mA
2SD2198
150mA
200mA
250mA
300mA
500mA
350mA
450mA
400mA
50mA
100mA
--450mA
OUTPUT
50
100
1
1
F1F
10IB1= --10IB2=IC=2A
For PNP, the polarity is reversed.
+
RL
RB
VCC=20V
VBE= --5V
VR
INPUT
PW=20
s
tr, tf≤15ns
IB1
IB2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1449S | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2198-S | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1449-Q | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1488P | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1503S | 8 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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