参数资料
型号: 2SB1449S
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: SMP-FD, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 44K
代理商: 2SB1449S
2SB1449 / 2SD2198
No.3149-3/5
IT11325
ITR09685
ITR09686
IT11324
ITR09683
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5
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1000
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0.1
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5
1.0
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0.01
0.1
1.0
10
3
2
5
3
2
5
0.1
0.01
3
2
5
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3
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3
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0.1
0.01
3
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2SB1449
VCE= --2V
Ta=80
°C
25
°C
--20
°C
2SD2198
VCE=2V
2SB1449
IC / IB=20
2SB1449
IC / IB=10
2SD2198
IC / IB=20
2SD2198
IC / IB=10
Ta=80
°C
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hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
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oltage,
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CE
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-
V
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
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CE
(sat)
-
V
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
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oltage,
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CE
(sat)
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Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
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oltage,
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CE
(sat)
-
V
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
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A
0
--0.2
--0.8
--0.4
--1.0
--1.2
--0.6
--1.4
ITR09682
ITR09681
0
--2
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--6
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--4
--8
--7
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0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
1.2
1.4
0
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4
8
7
9
10
2SB1449
VCE= --2V
T
a=80
°C
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2SD2198
VCE=2V
T
a=80
°C
25
°C
--20
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