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参数资料
| 型号： | 2SB1450-S |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SMP-FD, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2SB1450-S |
2SB1450 / 2SD2199
No.3150-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)1A
70*
280*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)5A
30
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
10
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)4A, IB=(--)0.4A
(--)0.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
0.2
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(0.7)0.9
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(0.1)0.3
s
* : The 2SBB1450 / 2SD2199 are classified by 1A hFE as follows :
Rank
Q
R
S
hFE
70 to 140
100 to 200
140 to 280
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7001-002
10.2
8.8
1.5MAX
2.7
9.9
3.0
0.2
1.3
4.5
0.8
1.35
0.4
1.4
1.2
2.55
0 to 0.3
12
3
2.55
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : SMP-FD
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR09695
ITR09696
0
--0.4
--0.6
--0.2
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
--2
--8
--6
--4
--10
--12
0
2
8
6
4
10
12
IB=0mA
--10mA
--20mA
--40mA
--60mA
--80mA
--100mA
--200mA
--400mA
--600mA
--800mA
--1A
2SB1450
0
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
1.2
1.4
IB=0mA
2SD2199
200mA
400mA
600mA
1A
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
OUTPUT
50
100
1
1
F1F
IC=10IB1= --10IB2=2A
For PNP, the polarity is reversed.
+
RL
RB
VCC=20V
VBE= --5V
VR
INPUT
PW=20
s
tr, tf≤15ns
IB1
IB2
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