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参数资料
| 型号： | 2SB1453-AZ |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | 2SB1453-AZ |
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1998
Document No. D16129EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published July 2002 N CP(K)
Printed in Japan
SILICON TRANSISTOR
2SB1453
PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR
FOR HIGH-SPEED SWITCHING
DATA SHEET
2002
The 2SB1453 is a power transistor that can directly drive from
the IC output. This transistor is ideal for motor drivers and solenoid
drivers in such as OA and FA equipment.
In addition, a small resin-molded insulation type package
contributes to high-density mounting and reduction of mounting
cost.
FEATURES
High DC current amplifier ratio
hFE
≥ 100 (VCE = 5 V, IC = 0.5 A)
Mold package that does not require an insulating board or
insulation bushing
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
60
V
Collector to emitter voltage
VCEO
60
V
Emitter to base voltage
VEBO
7.0
V
Collector current (DC)
IC(DC)
3.0
A
Collector current (pulse)
IC(pulse)*
6.0
A
Base current (DC)
IB(DC)
1.0
A
Total power dissipation
PT (Tc = 25
°C)
25
W
Total power dissipation
PT (Ta = 25
°C)
2.0
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
*PW
≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
Electrode Connection
1. Base
2. Collector
3. Emitter
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1453 | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1454S | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2202-R | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2202R | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1454 | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1453-K-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1457(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SB1457(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SB1457(T6DW,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SB1457(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
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