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参数资料
| 型号： | 2SB1474TL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CPT3, SC-63, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | 2SB1474TL |
2SB1474
Transistor
Rev.A
1/3
Power Transistor (
80V, 4A)
2SB1474
Features
1) Darlington connection for a high hFE.
2) Built-in resistor between base and emitter.
3) Built-in damper doide.
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
80
7
4
1
10
150
55 to +150
Unit
V
A(DC)
6
*
A
W
(Tc=25C)
C
* Single pulse, Pw=100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
External dimensions (Unit : mm)
2.3
0.5
1.0
0.5
9.5
2.5
0.8Min.
1.5
6.5
2.3
( 2
)
( 3
)
C0.5
0.65
0.9
( 1
)
0.75
2.3
0.9
1.5
5.5
(3) Emitter
(2) Collector
(1) Base
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
5.1
Packaging specifications and hFE
Type
2SB1474
CPT3
1k~10k
TL
2500
Package
hFE
Code
Basic ordering unit (pieces)
Equivalent circuit
R1
3k
R2
300
B
C
E
C
B
E
: Base
: Collector
: Emitter
R1
R2
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
80
1000
1
5000
12
45
100
3
1.5
10000
V
A
mA
V
*1
*2
MHz
pF
IC
=
50A
IC
=
1mA
VCB
=
80V
VEB
=
5V
IC/IB
=
2A/4mA
VCE/IC
=
3V/2A
VCE
=
5V, IE=0.5A, f=10MHz
VCB
=
10V, IE=0A, f=1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
BVEBO
7
VIE
=
5mA
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
*1 Measured using pulse current. *2 Transition frequency of the device.
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PDF描述 |
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