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参数资料
| 型号： | 2SB1495 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-10R1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 2SB1495 |
2SB1495
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
2SB1495
High-Power Switching Applications
High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 2 A)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1.5 A)
Complementary to 2SD2257
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter-base voltage
VEBO
8
V
DC
IC
3
Collector current
Pulsed
ICP
5
A
Base current
IB
0.3
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
20
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Base
Emitter
≈ 4 k
≈ 800
Collector
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PDF描述 |
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