- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33340 > 2SB1498 (PANASONIC CORP) 0.3 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SB1498 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.3 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | 2SB1498 |
1
Power Transistors
2SB1498
Silicon PNP triple diffusion planar type
For power switching
s Features
q
High-speed switching
q
High collector to base voltage VCBO
q
I type package enabling direct soldering of the radiating fin to
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
–600
–7
– 0.6
– 0.3
15
1.3
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
ICBO
IEBO
VCEO
hFE1
hFE2
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
ton
tstg
tf
Conditions
VCB = –600V, IE = 0
VEB = –7V, IC = 0
IC = –10mA, IB = 0
VCE = –5V, IC = –50mA
VCE = –5V, IC = –150mA
IC = –150mA, IB = –30mA
VCE = –10V, IC = –50mA, f = 1MHz
IC = –150mA,
IB1 = –30mA, IB2 = 60mA,
VCC = –200V
min
–600
30
8
typ
10
max
–100
–1.0
–1.5
1.0
3.5
0.5
Unit
A
V
MHz
s
TC=25°C
Ta=25
°C
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
I Type Package
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
I Type Package (Y)
7.2
±0.3
7.0
±0.3
3.0
±0.2
3.5
±0.2
10.0
+0.3
–0.
0.8
±0.2
1.0
±0.2
4.6
±0.4
2
13
1.1
±0.1
0.75
±0.1
2.3
±0.2
0.85
±0.1
0.4
±0.1
7.0
±0.3
0.75
±0.1
2.3
±0.2
4.6
±0.4
1.1
±0.1
10.2
±0.3
7.2
±0.3
2.0
±0.2
0.9
±0.1
3.5
±0.2
2.5
±0.2
1.0
2.5
±0.2
3.0
±0.2
1.0
max.
123
0 to 0.15
2.5
0.5 max.
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1500P | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1500Q | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1500 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1504R | 8 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1517T105/PR | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB15040QA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB15040RA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1548 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR SUBBING WITH 2SB1548A-P |
| 2SB1548A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1548AP | 功能描述:TRANS PNP LF 80VCEO 3A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。