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参数资料
型号： 2SB1499AP
厂商： PANASONIC CORP
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装： MT4, 3 PIN
文件页数： 1/3页
文件大小： 164K
代理商： 2SB1499AP
1
Power Transistors
2SB1499, 2SB1499A
Silicon PNP epitaxial planar type
For low-freauency power amplification
s Features
q
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity
q
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
q
Allowing automatic insertion with radial taping
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to
emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
–60
–80
–60
–80
–5
–8
–4
15
2
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
2SB1499
2SB1499A
2SB1499
2SB1499A
TC=25°C
Ta=25
°C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff
current
Collector cutoff
current
Emitter cutoff current
Collector to emitter
voltage
Forward current transfer ratio
Base to emitter voltage
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
ICES
ICEO
IEBO
VCEO
hFE1
*
hFE2
VBE
VCE(sat)
fT
ton
tstg
tf
Conditions
VCE = –60V, VBE = 0
VCE = –80V, VBE = 0
VCE = –30V, IB = 0
VCE = –60V, IB = 0
VEB = –5V, IC = 0
IC = –30mA, IB = 0
VCE = –4V, IC = –1A
VCE = –4V, IC = –3A
IC = –4A, IB = – 0.4A
VCE = –10V, IC = – 0.1A, f = 10MHz
IC = –4A, IB1 = – 0.4A, IB2 = 0.4A
min
–60
–80
70
15
typ
30
0.2
0.5
0.2
max
–400
–700
–1
250
–2
–1.5
Unit
A
mA
V
MHz
s
2SB1499
2SB1499A
2SB1499
2SB1499A
2SB1499
2SB1499A
*h
FE1 Rank classification
Rank
Q
P
hFE1
70 to 150
120 to 250
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
MT4 Type Package
1.0
10.0
±0.2
0.55
±0.1
2.5
±0.2
2.5
±0.2
4.2
±0.2
13.0
±0.2
2.5
±0.2
18.0
±0.5
Solder
Dip
5.0
±0.1
2.25
±0.2
1.2
±0.1
0.65
±0.1
0.55
±0.1
C1.0
90
°
C1.0
123
1.05
±0.1
0.35
±0.1
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
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相关PDF资料
PDF描述
2SB1505-E SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1505-D SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1505-E SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1517T105P 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1517T105/P 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SB15040QA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SB15040RA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1548 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR SUBBING WITH 2SB1548A-P
2SB1548A 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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