型号: | 2SB1596TE4/N |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS |
封装: | TO-92LS, 3 PIN |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 101K |
代理商: | 2SB1596TE4/N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD2159/E | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
2SC4166T103/P | 100 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
2SA1820/PQ | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS |
2SA934/PQ | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
2SA1818/PR | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SB15990QL | 功能描述:TRANS PNP 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SB15990RL | 功能描述:TRANS PNP 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SB1617(TP,Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
2SB1623AP | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 4A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SB1625 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FM100-110V -6A 60W BCE |