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参数资料
| 型号： | 2SB1669-S |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-262AA |
| 封装： | FIN CUT, MP-25, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | 2SB1669-S |
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1998
Document No. D15410EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published July 2002 N CP(K)
Printed in Japan
SILICON POWER TRANSISTOR
2SB1669
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR HIGH-SPEED SWITCHING
DATA SHEET
2002
The 2SB1669 is a power transistor that can be directly driven from
the output of an IC. This transistor is ideal for OA and FA equipment
such as motor and solenoid drivers.
FEATURES
High DC current amplifier rate
hFE
≥ 100 (VCE = 5.0 V, IC = 0.5 A)
Z type available for surface mounting supported prodcuts
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
60
V
Collector to emitter voltage
VCEO
60
V
Emitter to base voltage
VEBO
7.0
V
Collector current (DC)
IC(DC)
3.0
A
Collector current (pulse)
IC(pulse)
PW
≤ 10 ms,
duty cycle
≤ 50%
6.0
A
Base current (DC)
IB(DC)
1.0
A
(TC = 25
°C)
25
W
Total power dissipation
PT
(TA = 25
°C)
1.5
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
ORDERING INFORMATION
Part No.
Package
2SB1669
TO-220AB
2SB1669-S
TO-262
2SB1669-Z
TO-220SMD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1669-Z | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB536N | 1.5 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD381N | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB537 | 1.5 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD381M | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB167900L | 功能描述:TRANS PNP LF 10VCE0 1.0A S-MINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1679G0L | 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1682(Q) | 功能描述:达林顿晶体管 PNP 160V 2A Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1689T106 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1690KT146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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