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参数资料
| 型号： | 2SB1688 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92(1), 3 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2SB1688 |
2SB1688
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
-300
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
-300
V
Emitter to base voltage
V
EBO
-5
V
Collector current
I
C
-50
mA
Collector power dissipation
P
C
750
mW
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature
T
stg
-55 to +150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector cutoff current
I
CBO
—
-0.1
AV
CB = -300V, IE = 0
I
CEO
—
-0.1
AV
CE = -300V, RBE =∞
Emitter cutoff current
I
EBO
—
-10
AV
EB = -5 V, IC = 0
Base to emitter voltage
V
BE
—
-0.75
V
CE = -6V, I C = -1mA
DC current transfer raito
h
FE
80
—
160
—
V
CE = -6V, IC = -2mA
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
-0.9
V
I
C = -30mA, IB = -3mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SB554 | 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SB1690TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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