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参数资料
| 型号： | 2SB1708 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2SB1708 |
2SB1708
Transistors
Rev.B
2/2
Electrical characteristic curves
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
10
100
1000
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
VCE
=2V
Pulsed
Ta
=25°C
Ta
=40°C
Ta
=125°C
Fig.1 DC Current Gain vs.
Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
IC/IB
=20/1
Pulsed
Ta
=25°C
Ta
=40°C
Ta
=125°C
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V
)
Fig.2 Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE
(sat)
(V)
Ta
=25°C
Ta
=125°C
Ta
=40°C
IC/IB
=20/1
Pulsed
Fig.3 Base-emitter saturation voltage
vs. Collector Current
0.1
1
10
BASE TO EMITTER CURRENT : VBE (V)
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
VCE
=2V
Pulsed
Ta
=25°C
Ta
=40°C
Ta
=125°C
Fig.4 Grounded Emitter
Propagation Characteristics
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
f
=1MHz
IC
=0A
Ta
=25
°C
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
Cob
(pF
)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(pF)
Cib
Cob
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB(V)
Fig.5 Collector Output Capacitance
vs. Collector-Base Voltage
Emitter Input Capacitance
vs. Emitter-Base Voltage
0.01
0.1
1
10
EMITTER CURRENT : IE (A)
10
100
1000
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
Ta
=25°C
VCE
=2V
f
=100MHz
Fig.6 Gain Bandwidth Product
vs. Emitter Current
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
10
100
1000
10000
Ta
=25°C
VCE
=12V
IC/IB
=20/1
Pulsed
tstg
tdon
tr
tf
SWITCHING
TIME
:
(ns)
Fig.7 Switching Time
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